碳化硅（SiC）因其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高硬度、高耐磨性和良好的化學(xué)穩(wěn)定性而備受關(guān)注，特別是在高溫、高壓和強(qiáng)腐蝕環(huán)境下，碳化硅（SiC）展現(xiàn)出卓越的性能，在半導(dǎo)體、核能、國(guó)防及空間技術(shù)...
RTP快速退火爐是一種廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體、歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物/氮化物生長(zhǎng)等工藝中的加熱設(shè)備，能夠在短時(shí)間內(nèi)將半導(dǎo)體材料迅速加...
在半導(dǎo)體制造中，快速熱處理(RTP)被認(rèn)為是半導(dǎo)體制程的一個(gè)重要步驟。因?yàn)榘雽?dǎo)體材料在晶體生長(zhǎng)和制造過(guò)程中，由于各種原因會(huì)出現(xiàn)缺陷、雜質(zhì)、位錯(cuò)等結(jié)構(gòu)性缺陷，導(dǎo)致晶格不完整，施加電場(chǎng)...
半導(dǎo)體快速退火爐（RTP）是一種特殊的加熱設(shè)備，能夠在短時(shí)間內(nèi)將半導(dǎo)體材料迅速加熱到高溫，并通過(guò)快速冷卻的方式使其達(dá)到非常高的溫度梯度。在快速退火爐中，選擇合適的載盤(pán)材質(zhì)對(duì)于退火效...
快速退火爐利用鹵素紅外燈作為熱源，通過(guò)快速升溫將材料加熱到所需溫度，從而改善材料的晶體結(jié)構(gòu)和光電性能。其特點(diǎn)包括高效、節(jié)能、自動(dòng)化程度高以及加熱均勻等。此外，快速退火爐還具備較高的...
RTP快速退火爐的快速升溫過(guò)程和短暫的持續(xù)時(shí)間能夠修復(fù)晶格缺陷，進(jìn)而激活雜質(zhì)，優(yōu)化離子注入工藝后的導(dǎo)電性能。
碳化硅（SiC）是制作半導(dǎo)體器件及材料的理想材料之一，但其在工藝過(guò)程中，會(huì)不可避免的產(chǎn)生晶格缺陷等問(wèn)題，而快速退火可以實(shí)現(xiàn)金屬合金、雜質(zhì)激活、晶格修復(fù)等目的。在近些年飛速發(fā)展的化合...
作為新一代半導(dǎo)體的代表材料，氮化鎵（GaN）具有大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和速率等特性，是制造高功率、高頻電子器件中重要的半導(dǎo)體材料。
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